Антава

IXYS

Транзистор IXTT110N10L2

IXTT110N10L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
110 A
Power dissipation
600 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT110N10L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current110 A
Power dissipation600 W
КорпусTO268
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time230ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns

Документация

Документ производителя