Антава

IXYS

Транзистор IXTT10N100D2-TRL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
10 A
Power dissipation
695 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT10N100D2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current10 A
Power dissipation695 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge200nC
Reverse recovery time1.2µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 10A; 695W; D3PAK,TO268; 1.2us

Документация

Документы пока не предоставлены.