Антава

IXYS

Транзистор IXTT10N100D

IXTT10N100D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
10 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT10N100D
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current10 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation400 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time850ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268

Документация

Документ производителя