Антава

IXYS

Транзистор IXTT100N25P

IXTT100N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
100 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT100N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current100 A
Power dissipation600 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO268

Документация

Документ производителя