Антава

IXYS

Транзистор IXTT02N450HV

IXTT02N450HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
4.5kV
Drain current
0.2A
Power dissipation
113W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT02N450HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage4.5kV
Drain current0.2A
Power dissipation113W
КорпусTO268HV
On-state resistance625Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.6µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us

Документация

Документ производителя