Антава

IXYS

Транзистор IXTR40P50P

IXTR40P50P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500V
Drain current
-22A
Power dissipation
312W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR40P50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500V
Drain current-22A
Power dissipation312W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.26Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge205nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time477ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns

Документация

Документ производителя