Антава

IXYS

Транзистор IXTR36P15P

IXTR36P15P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-22A
Power dissipation
150W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR36P15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150V
Drain current-22A
Power dissipation150W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.12Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge55nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns

Документация

Документ производителя