Антава

IXYS

Транзистор IXTR210P10T

IXTR210P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-195A
Power dissipation
390W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR210P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-195A
Power dissipation390W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±15V
On-state resistance8mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge740nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns

Документация

Документ производителя