Антава

IXYS

Транзистор IXTR20P50P

IXTR20P50P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-13 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR20P50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-13 A
Power dissipation190 W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.49 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge103nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time406ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns

Документация

Документ производителя