Антава

IXYS

Транзистор IXTR200N10P

IXTR200N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTR200N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge235nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 120A; 300W; 100ns

Документация

Документ производителя