Антава

IXYS

Транзистор IXTR170P10P

IXTR170P10P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-100A
Power dissipation
312W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR170P10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-100A
Power dissipation312W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15.4mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time176ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns

Документация

Документ производителя