Антава

IXYS

Транзистор IXTR120P20T

IXTR120P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-90 A
Рассеиваемая мощность
595 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTR120P20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-90 A
Рассеиваемая мощность595 W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge740nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -90A; 595W; 300ns

Документация

Документ производителя