Антава

IXYS

Транзистор IXTR102N65X2

IXTR102N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
54 A
Power dissipation
330 W
Корпус
ISOPLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTR102N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current54 A
Power dissipation330 W
КорпусISOPLUS247™
On-state resistance33 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time450ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns

Документация

Документ производителя