Антава

IXYS

Транзистор IXTQ96N25T

IXTQ96N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
96 A
Рассеиваемая мощность
625 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ96N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current96 A
Рассеиваемая мощность625 W
КорпусTO3P
On-state resistance29 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge114nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time158ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; 625W; TO3P; 158ns

Документация

Документ производителя