Антава

IXYS

Транзистор IXTQ96N20P

IXTQ96N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
96 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ96N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current96 A
Power dissipation600 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO3P

Документация

Документ производителя