Антава

IXYS

Транзистор IXTQ76N25T

IXTQ76N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
76 A
Power dissipation
460 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 140 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 245,07 ₽

Сумма · с НДС 22%1 245,07 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 245,07 ₽
от 10871,36 ₽
от 30835,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ76N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current76 A
Power dissipation460 W
КорпусTO3P
On-state resistance44 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time148ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns

Документация

Документ производителя