Антава

IXYS

Транзистор IXTQ74N20P

IXTQ74N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
74 A
Power dissipation
480 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ74N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current74 A
Power dissipation480 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance34 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge107nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO3P

Документация

Документ производителя