Антава

IXYS

Транзистор IXTQ62N15P

IXTQ62N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
62 A
Power dissipation
350 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ62N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current62 A
Power dissipation350 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO3P

Документация

Документ производителя