Антава

IXYS

Транзистор IXTQ52N30P

IXTQ52N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
52 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ52N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current52 A
Power dissipation400 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance73 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns

Документация

Документ производителя