Антава

IXYS

Транзистор IXTQ50N20P

IXTQ50N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
50A
Power dissipation
360W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ50N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current50A
Power dissipation360W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20V
On-state resistance60mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P

Документация

Документ производителя