Антава

IXYS

Транзистор IXTQ44N50P

IXTQ44N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
44 A
Power dissipation
650 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ44N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current44 A
Power dissipation650 W
КорпусTO3P
On-state resistance0.14 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns

Документация

Документ производителя