Антава

IXYS

Транзистор IXTQ36P15P

IXTQ36P15P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-36 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ36P15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-36 A
Power dissipation300 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge55nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time228ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P

Документация

Документ производителя