Антава

IXYS

Транзистор IXTQ34N65X2M

IXTQ34N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
34 A
Pulsed drain current
48 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 27 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 931,71 ₽

Сумма · с НДС 22%1 931,71 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 931,71 ₽
от 31 736,66 ₽
от 101 534,11 ₽
от 301 380,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ34N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current34 A
Pulsed drain current48 A
Power dissipation40 W
КорпусTO3PF
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance96 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.