Антава

IXYS

Транзистор IXTQ32N65X

IXTQ32N65X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
32A
Power dissipation
500W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ32N65X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current32A
Power dissipation500W
КорпусTO3P
On-state resistance135mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO3P; 400ns

Документация

Документ производителя