Антава

IXYS

Транзистор IXTQ30N60P

IXTQ30N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Power dissipation
540 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ30N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Power dissipation540 W
КорпусTO3P
On-state resistance0.24 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge82nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns

Документация

Документ производителя