Антава

IXYS

Транзистор IXTQ30N50P

IXTQ30N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
30A
Power dissipation
460W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ30N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current30A
Power dissipation460W
КорпусTO3P
On-state resistance0.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns

Документация

Документ производителя