Антава

IXYS

Транзистор IXTQ26P20P

IXTQ26P20P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-26 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 239 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 486,81 ₽

Сумма · с НДС 22%1 486,81 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 486,81 ₽
от 101 135,11 ₽
от 30962,05 ₽
от 120908,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ26P20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-26 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time240ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P

Документация

Документ производителя