Антава

IXYS

Транзистор IXTQ26N60P

IXTQ26N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
26A
Power dissipation
460W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ26N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current26A
Power dissipation460W
КорпусTO3P
On-state resistance0.27Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns

Документация

Документ производителя