Антава

IXYS

Транзистор IXTQ26N50P

IXTQ26N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
26 A
Рассеиваемая мощность
400 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 147 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 268,30 ₽

Сумма · с НДС 22%1 268,30 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 268,30 ₽
от 31 166,98 ₽
от 101 013,19 ₽
от 30946,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ26N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current26 A
Рассеиваемая мощность400 W
КорпусTO3P
On-state resistance0.23 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns

Документация

Документ производителя