Антава

IXYS

Транзистор IXTQ22N60P

IXTQ22N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
22A
Power dissipation
400W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ22N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current22A
Power dissipation400W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.35Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge62nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P

Документация

Документ производителя