Антава

IXYS

Транзистор IXTQ200N10T

IXTQ200N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Power dissipation
550 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ200N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Power dissipation550 W
КорпусTO3P
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time76ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns

Документация

Документ производителя