Антава

IXYS

Транзистор IXTQ18N60P

IXTQ18N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
18 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ18N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current18 A
Power dissipation360 W
КорпусTO3P
On-state resistance0.42 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns

Документация

Документ производителя