Антава

IXYS

Транзистор IXTQ180N10T

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
480 W
Корпус
TO3P
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ180N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность480 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage30 V
On-state resistance6.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge151nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 480W; TO3P; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.