Антава

IXYS

Транзистор IXTQ170N10P

IXTQ170N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
170 A
Рассеиваемая мощность
715 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 290 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 672,17 ₽

Сумма · с НДС 22%2 672,17 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 672,17 ₽
от 32 405,50 ₽
от 101 911,78 ₽
от 301 598,26 ₽
от 1201 524,38 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ170N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current170 A
Рассеиваемая мощность715 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge198nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P

Документация

Документ производителя