Антава

IXYS

Транзистор IXTQ16N50P

IXTQ16N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
16 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ16N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current16 A
Power dissipation300 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P

Документация

Документ производителя