Антава

IXYS

Транзистор IXTQ160N10T

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
160 A
Power dissipation
430 W
Корпус
TO3P
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ160N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current160 A
Power dissipation430 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage30 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge132nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.