Антава

IXYS

Транзистор IXTQ140N10P

IXTQ140N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
140 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ140N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current140 A
Power dissipation600 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P

Документация

Документ производителя