Антава

IXYS

Транзистор IXTQ120N20P

IXTQ120N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
120 A
Power dissipation
714 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTQ120N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current120 A
Power dissipation714 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P

Документация

Документ производителя