Антава

IXYS

Транзистор IXTQ120N20P

IXTQ120N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
120 A
Power dissipation
714 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 859,60 ₽

Сумма · с НДС 22%1 859,60 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 859,60 ₽
от 301 551,88 ₽
от 1201 422,72 ₽
от 5101 289,75 ₽
от 10201 272,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTQ120N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current120 A
Power dissipation714 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P

Документация

Документ производителя