Антава

IXYS

Транзистор IXTP96P085T

IXTP96P085T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-85 V
Drain current
-96 A
Рассеиваемая мощность
298 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 17 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 292,19 ₽

Сумма · с НДС 22%1 292,19 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 292,19 ₽
от 10891,29 ₽
от 25812,98 ₽
от 50781,28 ₽
от 100753,31 ₽
от 250727,21 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP96P085T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-85 V
Drain current-96 A
Рассеиваемая мощность298 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time55ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB

Документация

Документ производителя