Антава

IXYS

Транзистор IXTP8N65X2M

IXTP8N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Power dissipation
32 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP8N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Power dissipation32 W
КорпусTO220FP
On-state resistance0.55 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns

Документация

Документ производителя