Антава

IXYS

Транзистор IXTP8N65X2

IXTP8N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP8N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияX2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB

Документация

Документ производителя