Антава

IXYS

Транзистор IXTP76N25T

IXTP76N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
76A
Power dissipation
460W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP76N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current76A
Power dissipation460W
КорпусTO220AB
On-state resistance44mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time148ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO220AB; 148ns

Документация

Документ производителя