Антава

IXYS

Транзистор IXTP75N10P

IXTP75N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
75 A
Рассеиваемая мощность
360 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTP75N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current75 A
Рассеиваемая мощность360 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge74nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB

Документация

Документ производителя