IXYS
Транзистор IXTP62N15P
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- PolarHT™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 150 V
- Drain current
- 62 A
- Рассеиваемая мощность
- 350 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 215 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 273,59 ₽
Сумма · с НДС 22%1 273,59 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 273,59 ₽ | |
| от 10 | 815,25 ₽ | |
| от 50 | 685,64 ₽ | |
| от 100 | 634,92 ₽ | |
| от 150 | 604,86 ₽ | |
| от 250 | 569,17 ₽ | |
| от 300 | 554,15 ₽ | |
| от 500 | 518,45 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXTP62N15P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | PolarHT™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 150 V |
| Drain current | 62 A |
| Рассеиваемая мощность | 350 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 40 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 70nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 150ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.