Антава

IXYS

Транзистор IXTP60N10T

IXTP60N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Power dissipation
176 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 243 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%799,69 ₽

Сумма · с НДС 22%799,69 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1799,69 ₽
от 10493,87 ₽
от 25448,28 ₽
от 50414,09 ₽
от 100381,80 ₽
от 300328,61 ₽
от 500305,82 ₽
от 750284,92 ₽
от 1000271,63 ₽
от 1250265,93 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTP60N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Power dissipation176 W
КорпусTO220AB
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time59ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns

Документация

Документ производителя