Антава

IXYS

Транзистор IXTP56N15T

IXTP56N15T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
56 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP56N15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current56 A
Power dissipation300 W
КорпусTO220AB
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge34nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 300W; TO220AB; 100ns

Документация

Документ производителя