Антава

IXYS

Транзистор IXTP50N20PM

IXTP50N20PM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
20A
Power dissipation
90W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP50N20PM
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current20A
Power dissipation90W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20V
On-state resistance60mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP

Документация

Документ производителя