Антава

IXYS

Транзистор IXTP50N20P

IXTP50N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
50 A
Power dissipation
360 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP50N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current50 A
Power dissipation360 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB

Документация

Документ производителя