Антава

IXYS

Транзистор IXTP4N70X2M

IXTP4N70X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700V
Drain current
4A
Power dissipation
30W
Корпус
TO220FP

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP4N70X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700V
Drain current4A
Power dissipation30W
КорпусTO220FP
On-state resistance0.85Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time186ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 30W; TO220FP; 186ns

Документация

Документ производителя