Антава

IXYS

Транзистор IXTP42N25P

IXTP42N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
42 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTP42N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current42 A
Power dissipation300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance84 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя